技术编号：37855845
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开的实施例主要涉及集成电路，并且更具体地，涉及用于建立光学邻近效应修正（opc）模型的方法、设备和计算机可读存储介质。背景技术、光刻是集成电路制造过程中的关键工艺。光刻工艺利用光化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将事先制备在掩模上的图案转印到衬底上。光刻工艺过程可以用光学和化学模型，借助数学公式来描述。光照射在掩模上发生衍射，衍射被投影透视镜收集并会聚在光刻胶表面，这一成像过程是光学过程。投影在光刻胶上的图像激发光化学反应，烘烤后导致光刻胶局部可溶于显影液，这是化学过程。、通常，掩模上的...
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