建立光学邻近效应修正模型的方法、电子设备和存储介质与流程

本公开的实施例主要涉及集成电路，并且更具体地，涉及用于建立光学邻近效应修正（opc）模型的方法、设备和计算机可读存储介质。

背景技术：

1、光刻是集成电路制造过程中的关键工艺。光刻工艺利用光化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将事先制备在掩模上的图案转印到衬底上。光刻工艺过程可以用光学和化学模型，借助数学公式来描述。光照射在掩模上发生衍射，衍射被投影透视镜收集并会聚在光刻胶表面，这一成像过程是光学过程。投影在光刻胶上的图像激发光化学反应，烘烤后导致光刻胶局部可溶于显影液，这是化学过程。

2、通常，掩模上的图案通过曝光系统投影在光刻胶上。由于光学系统的不完善性和衍射效应，光刻胶上的图形和掩模上的图形不完全一致。光学邻近效应修正（opticalproximity correction，opc）就是使用计算方法对掩模上的图形进行修正，使得投影到光刻胶上的图形尽量符合设计要求。

技术实现思路

1、根据本公开的示例实施例，提供了一种用于建立光学邻近效应修正（opc）模型的方案。

2、在本公开的第一方面中，提供了一种用于建立光学邻近效应修正（opc）模型的方法。该方法包括基于第一组样本数据、第二组样本数据和第三组样本数据，确定与opc模型相关联的误差分量；以及基于该误差分量，调整该opc模型的参数，其中，第一组样本数据与未被辅助图形曝光的第一样本图像集合中的第一多个测量位置相关联，第二组样本数据与辅助图形曝光的第二样本图像集合中的第二多个测量位置相关联，并且第三组样本数据与在第二样本图像集合中的辅助图形曝光区域中设置的至少一个虚拟测量位置相关联。

3、在本公开的第二方面中，提供了一种电子设备，该电子设备包括一个或多个处理器；以及存储装置，用于存储一个或多个程序，当一个或多个程序被一个或多个处理器执行时，使得电子设备执行动作。动作包括基于第一组样本数据、第二组样本数据和第三组样本数据，确定与opc模型相关联的误差分量；以及基于该误差分量，调整该opc模型的参数，其中，第一组样本数据与未被辅助图形曝光的第一样本图像集合中的第一多个测量位置相关联，第二组样本数据与辅助图形曝光的第二样本图像集合中的第二多个测量位置相关联，并且第三组样本数据与在第二样本图像集合中的辅助图形曝光区域中设置的至少一个虚拟测量位置相关联。

4、在本公开的第三方面中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，该计算机程序被处理器执行时实现根据本公开的第一方面的方法。

5、应当理解，
技术实现要素：
部分中所描述的内容并非旨在限定本公开的实施例的关键或重要特征，亦非用于限制本公开的范围。本公开的其它特征将通过以下的描述变得容易理解。

技术特征：

1.一种用于建立光学邻近效应修正opc模型的方法，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一组样本数据包括第一检测距离集合，所述第一检测距离集合包括与所述第一多个测量位置分别对应的多个检测距离，所述方法还包括：

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：

4.根据权利要求2所述的方法，其中检测在与所述第一测量位置相对应的检测距离内是否存在辅助图形曝光，包括：

5.根据权利要求2所述的方法，其中响应于所述第一样本图像集合中的一个或多个样本图像是分别基于一个或多个紧密型测试图案生成的，所述第一检测距离集合中与所述一个或多个样本图像中的测量位置对应的一个或多个检测距离分别基于所述一个或多个紧密型测试图案中的图形间距确定。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二组样本数据包括被设置为特定数值的第二检测距离集合，并且其中所述第三组样本数据包括被设置为所述特定数值的第三检测距离集合。

7.根据权利要求1所述的方法，其中确定与所述opc模型相关联的误差分量，包括：

8.根据权利要求7所述的方法，还包括：

9. 一种电子设备，所述设备包括：

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1-8中任一项所述的方法。

技术总结
本公开的实施例提供了建立光学邻近效应修正模型的方法、电子设备和存储介质。该方法包括基于第一组样本数据、第二组样本数据和第三组样本数据，确定与OPC模型相关联的误差分量；以及基于该误差分量，调整该OPC模型的参数，其中，第一组样本数据与未被辅助图形曝光的第一样本图像集合中的第一多个测量位置相关联，第二组样本数据与辅助图形曝光的第二样本图像集合中的第二多个测量位置相关联，并且第三组样本数据与在第二样本图像集合中的辅助图形曝光区域中设置的至少一个虚拟测量位置相关联。

技术研发人员：请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名,请求不公布姓名
受保护的技术使用者：全芯智造技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/5/6