技术编号:37920195
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件,具体涉及一种以gan为衬底外延高质量多晶金刚石及其制备方法。背景技术、gan作为第三代半导体材料,具有较高的电子饱和速率、击穿场强和宽禁带等优异性能,是研制高频、高功率半导体器件的基本材料。近年来,随着gan基功率器件尺寸小型化和功率增大化,使得gan基功率器件运行时,在芯片有源区的热点增加,热累积效应迅速增加,导致其各项性能指标迅速恶化。因此散热问题成为制约 gan 基功率器件进一步发展和广 泛应用的主要技术瓶颈之一。为了解决现有的gan基半导体器件的散热问题,本发明提...
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