技术编号:37920477
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请的实施例涉及一种封装结构。背景技术、在现有的封装结构中,参见图a,形成在基底上的晶种层上的再分布结构(rdl)的m层作为焊料焊盘时,焊盘的铜易与之后的焊料结合而形成共金化合物(imc),若焊盘的厚度太薄可能在信赖性测试时持续形成imc,从而发生结构断裂,因此一般会将焊盘一次电镀较厚的铜(cu)(诸如μm左右)。然而,当焊盘电镀较厚的铜再对介电层(诸如聚酰亚胺(pi))进行开孔时,会造成介电层表面的形貌起伏较大,导致介电层上方的再分布结构...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。