一种封装结构的制作方法

本申请的实施例涉及一种封装结构。

背景技术：

1、在现有的封装结构10中，参见图1a，形成在基底11上的晶种层12上的再分布结构(rdl)的m0层作为焊料焊盘13时，焊盘13的铜易与之后的焊料结合而形成共金化合物(imc)，若焊盘13的厚度太薄可能在信赖性测试时持续形成imc，从而发生结构断裂，因此一般会将焊盘13一次电镀较厚的铜(cu)(诸如10μm左右)。然而，当焊盘13电镀较厚的铜再对介电层14(诸如聚酰亚胺(pi))进行开孔时，会造成介电层14表面的形貌起伏较大，导致介电层14上方的再分布结构(rdl)15的迹线因地形起伏大而容易开裂t，将进一步影响后续制程的良率。

2、此外，参见图1b-1至图1c-4，对于现有技术，出现了以下几个需求：

3、1)对于vrm smt(cpu电压调节组件表面安装技术)需求，参见图1b-1至图1b-5，需在扇出(fo)结构最底端(即，在载体11’上形成有释放层16以及在释放层16上形成有金属层17(即，base layer pvd(基层物理气相沉积))先作业一层球焊盘13-1后才开始进行介电层14(诸如聚酰亚胺(pi))制程，之后再电镀另一层球焊盘13-2以及在球焊盘13-2上方形成晶种层18；

4、2)为阻挡vrm的大电荷供应，需要将介电层14的结构加厚至总厚15μm(正常介电层的总厚约为5～7μm)；但其为了确保产品良率，新增一需求“扇出结构完成后需要能进行o/s(开/关)电测”，若要能电测，在专利号为p21129009的专利申请中，形成有金属层17，由于该金属层17对光的反射，使得使用金属层17导电进行通孔(诸如一层球焊盘13-1和另一层球焊盘13-2)填充的想法变得不可行，因为该金属层17会使得所有扇出结构(fo)全部短接在一起，而无法进行扇出结构o/s电测。

5、为了让扇出结构与金属层17隔离，需要在金属层17与实际的扇出结构中间插入一层隔离的介电层21，如图1c-4所示，让导电问题被解决。但此设计会使得通孔无导电层可以通电填孔，诸如在图1c-4所示的球焊盘13-1上方没有形成另一层导电焊盘(虚线表示未形成的另一层导电焊盘)，孔深太深会造成后要迭加结构时，黄光至成曝光会散色，aoi(自动光学检测)检验也会受到阴影干扰，因此必须另外想一方法解决此问题。

6、可见，虽然在专利号为p21129009的专利申请中，提供二次电镀来形成厚的球焊盘13-1和13-2(诸如铜层)，如图1b-5所示，虽然可以降低介电层14(诸如pi)层的地形起伏大的问题，然而，进一步如图1d-1至图1d-3所示，该球焊盘13(如图1所示)会具有蛋糕状等不稳定的结构，并且该球焊盘13的二次电镀必须先形成介电层14再电镀第二层的球焊盘13-2，然而形成介电层14后导致后续o/s电测时会因晶种层12的短路而无法测量。因此，急需提供一种可以结构稳定性高并且可以较好地进行o/s电测的封装结构。

技术实现思路

1、为了解决上述问题，本申请的一些实施例提供了一种封装结构，包括：导线组件，包括介电层，所述介电层具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，其中，所述第二表面处具有开口；焊盘，由所述介电层的所述第二表面处的开口暴露；焊盘增厚层，设置在所述开口内；导电通孔，设置在所述焊盘增厚层上；以及焊球，设置在所述焊盘下方。

2、在一些实施例中，所述介电层具有由所述开口限定的内侧表面，其中，所述焊盘增厚层的侧壁与所述内侧表面间隔开空间。

3、在一些实施例中，所述导电通孔延伸至所述空间内。

4、在一些实施例中，所述导电通孔的上表面包括凹部，其中，所述凹部设置在所述空间正上方。

5、在一些实施例中，所述焊盘增厚层的第一侧壁与所述内侧表面间隔开第一距离，并且所述焊盘增厚层的与所述第一侧壁相对的第二侧壁与所述内侧表面间隔开第二距离，其中，所述第一距离与所述第二距离不同。

6、在一些实施例中，该封装结构还包括：第一晶种层，设置在所述焊盘增厚层和所述焊盘之间。

7、在一些实施例中，所述第一晶种层进一步设置在所述内侧表面上和所述介电层上方。

8、在一些实施例中，该封装结构还包括：第二晶种层，设置在所述焊盘与所述焊球之间。

9、在一些实施例中，相比于所述焊盘，所述焊盘增厚层的上表面更靠近所述介电层的第二表面。

10、在一些实施例中，所述导电通孔包裹所述焊盘增厚层的侧壁和上表面。

11、本申请的另一些实施例还提供了一种封装结构，其特征在于，包括：导线组件，包括介电层，所述介电层具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，其中，所述第二表面处具有开口；球焊盘，由所述介电层的所述第二表面处的开口暴露，所述开口限定所述介电层的内侧表面，并且所述球焊盘与所述内侧表面间隔开空间；导电通孔，设置在所述焊盘上并延伸至所述空间内；以及焊球，设置在所述焊盘下方。

12、在一些实施例中，所述焊球与所述导电通孔接触。

13、在一些实施例中，所述导电通孔的上表面包括凹部，其中，所述凹部设置在所述空间正上方。

14、在一些实施例中，所述球焊盘的上表面低于所述介电层的第二表面。

15、在一些实施例中，所述球焊盘的第一侧壁与所述内侧表面间隔开第一距离，并且所述球焊盘的与所述第一侧壁相对的第二侧壁与所述内侧表面间隔开第二距离，其中，所述第一距离与所述第二距离不同。

16、在一些实施例中，该封装结构还包括：第一晶种层，设置在所述球焊盘和所述导电通孔之间。

17、在一些实施例中，该封装结构还包括：第二晶种层，设置在所述导电通孔和所述介电层之间。

18、在一些实施例中，所述导电通孔包裹所述球焊盘的侧壁和上表面。

19、在一些实施例中，所述球焊盘的底面和所述导电通孔的底面与所述介电层的第一表面齐平。

20、在一些实施例中，所述导电通孔进一步延伸至所述介电层上方。

21、综上，本申请提供了一种结构稳定性高并且较好地进行o/s电测的封装结构。

技术特征：

1.一种封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述介电层具有由所述开口限定的内侧表面，

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述导电通孔延伸至所述空间内。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述导电通孔的上表面包括凹部，其中，所述凹部设置在所述空间正上方。

5.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述焊盘增厚层的第一侧壁与所述内侧表面间隔开第一距离，并且所述焊盘增厚层的与所述第一侧壁相对的第二侧壁与所述内侧表面间隔开第二距离，

6.一种封装结构，其特征在于，包括：

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述焊球与所述导电通孔接触。

8.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述导电通孔的上表面包括凹部，其中，所述凹部设置在所述空间正上方。

9.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述球焊盘的上表面低于所述介电层的第二表面。

10.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述球焊盘的第一侧壁与所述内侧表面间隔开第一距离，并且所述球焊盘的与所述第一侧壁相对的第二侧壁与所述内侧表面间隔开第二距离，

技术总结
本申请的一些实施例提供了一种封装结构，其特征在于，包括：导线组件，包括介电层，介电层具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面；焊盘，由介电层的第二表面处的开口暴露；焊盘增厚层，设置在开口内；导电通孔，设置在焊盘增厚层上；以及焊球，设置在焊盘下方。本申请提供的封装结构提高了其结构稳定性。

技术研发人员：黄茜楣,林仪婷,杨盛文
受保护的技术使用者：日月光半导体制造股份有限公司
技术研发日：20230901
技术公布日：2024/5/9