技术编号:37932476
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体,特别是涉及一种多次可编程存储单元结构及其制造方法。背景技术、随着半导体技术的发展,存储器具有速度快、可靠性高、体积小、功耗低等优点,被广泛应用。其中多次可编程mtp(multi-time programmable)存储器成本低,可以根据客户需要进行多次重新编程和更新。常见的mtp器件结构如图所示,其中各标号的结构为:、:p型外延层,:深n型离子注入(dnw),:浅沟槽隔离(sti),:p型阱区(pw),:控制栅cg,:栅氧化层,...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。