技术编号:37943475
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于六氯乙硅烷纯化,具体涉及一种六氯乙硅烷的纯化装置及其纯化方法。背景技术、高纯六氯乙硅烷(hcds),与传统二氯二氢硅、硅烷气气相沉积法制硅膜相比,六氯乙硅烷气相沉积法沉积温度低、沉积压力低、沉积效率高,并且得到的硅膜绝缘性、抗腐蚀性、兼容性更好。被广泛应用于薄膜中间介质层、多晶硅互连线周围层、栅极晶体管间隔层的制备,是高端芯片、晶圆制造、存储器及逻辑芯片制造的关键硅基半导体原材料。、目前,六氯乙硅烷原料多来源于多晶硅系统还原炉尾气冷凝液,其组分复杂,且各种金属杂质含量高,特别是al...
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