技术编号：3811280
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及例如在用于形成半导体装置的布线的研磨中使用的研磨用组合物以及使用该研磨用组合物的研磨方法。背景技术形成半导体装置的布线时，首先在具有沟槽的绝缘体层上依次形成阻挡层和导体层。然后，通过化学机械研磨至少除去位于沟槽外的导体层的部分(导体层的外侧部分) 和位于沟槽外的阻挡层的部分(阻挡层的外侧部分)。用于除去该至少导体层的外侧部分和阻挡层的外侧部分的研磨通常分为第1研磨步骤和第2研磨步骤来进行。第1研磨步骤中，为了露出阻挡层的上表面而除去导体层的外侧部...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。