专利名称：研磨用组合物及研磨方法
技术领域：
本发明涉及例如在用于形成半导体装置的布线的研磨中使用的研磨用组合物以及使用该研磨用组合物的研磨方法。
背景技术：
形成半导体装置的布线时，首先在具有沟槽的绝缘体层上依次形成阻挡层和导体层。然后，通过化学机械研磨至少除去位于沟槽外的导体层的部分(导体层的外侧部分) 和位于沟槽外的阻挡层的部分(阻挡层的外侧部分)。用于除去该至少导体层的外侧部分和阻挡层的外侧部分的研磨通常分为第1研磨步骤和第2研磨步骤来进行。第1研磨步骤中，为了露出阻挡层的上表面而除去导体层的外侧部分的一部分。接着在第2研磨步骤中， 为了露出绝缘体层的同时得到平坦的表面，至少除去导体层的外侧部分的残留部分和阻挡层的外侧部分。这种用于形成半导体装置的布线的研磨、特别是第2研磨步骤的研磨中，通常使用含有酸等研磨促进剂和氧化剂，进而根据需要含有研磨磨粒的研磨用组合物。此外，为了改善研磨后的研磨对象物的平坦性，提出了使用进一步添加了水溶性高分子的研磨用组合物。例如专利文献1中公开了使用含有聚氧亚乙基十二烷基醚硫酸铵等阴离子表面活性剂、苯并三唑等保护膜形成剂和聚氧亚乙基烷基醚等非离子表面活性剂的研磨用组合物。 专利文献2中公开了使用含有表卤醇改性聚酰胺的研磨用组合物。此外，专利文献3中公开了使用含有具有用羧酸修饰了的氨基的化学修饰明胶的研磨用组合物。但是，通过化学机械研磨形成半导体装置的布线时，特别是导体层由铜或铜合金形成时，有可能在形成的布线的旁边产生非计划中的不合适的凹陷。认为该配线旁边的凹陷主要是由于位于与绝缘体层的边界附近的导体层的部分表面在研磨中腐蚀而产生的。即使使用上述以往的研磨用组合物，也难以防止产生这种布线旁边的凹陷。[专利文献1]日本特开2008-41781号公报[专利文献2]日本特开第2002-110595号[专利文献3]日本特开2008-244316号公报
发明内容
因此，本发明的目的在于，提供可以在用于形成半导体装置的布线的研磨中更合适地使用的研磨用组合物以及使用该研磨用组合物的研磨方法。为了达到上述目的，本发明的一个方式中，提供一种研磨用组合物，该组合物含有研磨促进剂、水溶性聚合物和氧化剂，该水溶性聚合物包含来自具有胍结构的聚合性化合物的结构单元。具有胍结构的聚合性化合物优选为下述通式⑴或(2)所示的化合物，特别优选为双氰胺。[化1]
权利要求
1.研磨用组合物，其特征在于，含有研磨促进剂、水溶性聚合物和氧化剂，所述水溶性聚合物包含来自具有胍结构的聚合性化合物的结构单元。
2.如权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述具有胍结构的聚合性化合物为下述通式⑴或(2)所示的化合物，
3.如权利要求1或2所述的研磨用组合物，其中，所述水溶性聚合物包含来自作为具有胍结构的聚合性化合物的双氰胺的结构单元、和来自甲醛的结构单元。
4.如权利要求1 3中任意一项所述的研磨用组合物，其中，所述水溶性聚合物含有来自双氰胺的结构单元、和来自二胺或多胺的结构单元。
5.研磨方法，包括使用权利要求1 4中任意一项所述的研磨用组合物对具有由铜或铜合金形成的导体层的研磨对象物的表面进行研磨。
全文摘要
本发明提供可以在用于形成半导体装置的布线的研磨中合适地使用的研磨用组合物以及使用该研磨用组合物的研磨方法。本发明的研磨用组合物含有研磨促进剂、含有来自双氰胺等具有胍结构的聚合性化合物的结构单元的水溶性聚合物、和氧化剂。水溶性聚合物可以含有来自双氰胺的结构单元，和来自甲醛、二胺或多胺的结构单元。
文档编号C09G1/02GK102212315SQ20111004174
公开日2011年10月12日 申请日期2011年2月18日 优先权日2010年4月8日
发明者平野达彦, 梅田刚宏, 玉田修一 申请人:福吉米株式会社