技术编号：3818198
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅石，淤浆组合物，和其制备方法。尤其是，本发明硅石包括聚集的一次颗粒。引入硅石的淤浆组合物适用于抛光制品和尤其可用于半导体衬底和其它微电子衬底的化学-机械平面化(″CMP″)。背景技术 一般来说，多个集成电路在半导体衬底上形成以制造半导体晶片。集成电路通常通过系列工艺步骤而形成，其中材料，如导电，绝缘和半导体材料的图案化层在衬底上形成。铜和钽金属互连在半导体衬底上的应用是本领域已知的。一般来说，铜用作被绝缘中间层介电材料(ILD)如二氧化硅包围的...
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