技术编号:3820842
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种CdS/Cd(OH)2复合纳米线及其制备方法。 背景技术一维多晶纳米材料具有不同于单独的纳米颗粒和一维单晶纳米结构的独特性质, 如纳米晶粒间的电子、光子和能量转移等,因而受到人们的广泛关注,在各种光电子器件的制备方面具有重要的用途。在各种一维多晶纳米材料中,半导体纳米晶体,如Cds、CdSe, CdTe等,因其独特的光电性质而备受关注,并被广泛应用于光电子器件,太阳能电池,生物标记和传感器等领域。Cd(OH)2纳米结构材料作为重要的半导体纳米...
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