技术编号:425865
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体处理中在被处理基板上形成硅氮化膜的CVD方法。这里,所谓“半导体处理”,是指通过以规定的图案在半导体晶片或LCD(Liquid Crystal Display)或FPD(Flat Panel Display)用的玻璃基板等被处理基板上形成半导体层、绝缘层、导电层等,为了制造包括半导体器件、与半导体器件连接的配线、电极等的构造物而在该被处理基板上实施的各种处理。背景技术 作为半导体器件的绝缘膜,SiO2、PSG(Phospho Silicate Glass)、P(等离子体)-SiO、P(等离子...
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