专利名称：在被处理基板上形成硅氮化膜的cvd方法
技术领域：
本发明涉及半导体处理中在被处理基板上形成硅氮化膜的CVD方法。这里，所谓“半导体处理”，是指通过以规定的图案在半导体晶片或LCD(Liquid Crystal Display)或FPD(Flat Panel Display)用的玻璃基板等被处理基板上形成半导体层、绝缘层、导电层等，为了制造包括半导体器件、与半导体器件连接的配线、电极等的构造物而在该被处理基板上实施的各种处理。
背景技术：
作为半导体器件的绝缘膜，SiO2、PSG(Phospho Silicate Glass)、P(等离子体)-SiO、P(等离子体)-SiN、SOG(Spin On Glass)、Si3N4(硅氮化膜)等材料被采用。
比如，在特开平11-172439号公报中，公开了在半导体晶片的表面上通过热CVD(Chemical Vapor Deposition)方法形成硅氧化膜或者硅氮化膜的方法。在这种热CVD中，作为含有硅的气体，甲硅烷(SiH4)或者二氯硅烷(SiH2Cl2)或者六氯硅烷(Si2Cl6)、双叔丁基氨基硅烷(BTBAS)等硅烷系列气体被采用。
具体地说，比如在堆积硅氧化膜时，使用SiH4+N2O、SiH2Cl2+N2O或者TEOS(TetraEthyl OrthoSilicate原硅酸四乙酯)+O2等气体组合。另外，在堆积硅氮化膜时，使用SiH2Cl2+NH3或者Si2Cl6+NH3等气体组合。
可是，根据本发明人所见，如后所述，以目前的这种成膜方法形成的绝缘膜，在随后的清洁处理中会产生问题。即，以目前的成膜方法，在降低成膜处理温度时，在随后进行的清洁处理中，绝缘膜的蚀刻率增高，膜厚的控制性变差。
发明内容
本发明是一种在被处理基板上形成硅氮化膜的CVD方法，其目的在于提供一种CVD方法，即使以比较低的处理温度成膜，也能够良好地维持在随后进行的清洁处理中硅氮化膜膜厚的控制性。
本发明的第一方面，是一种在被处理基板上形成硅氮化膜的CVD方法，包括如下工序将前述基板装入处理容器内，加热至处理温度的工序；对于被加热至前述处理温度的前述基板，供给含有六乙氨基二硅烷气体和氨气体的处理气体，在前述基板上堆积硅氮化膜的工序。
本发明的第二方面，是一种在被处理基板上形成硅氮化膜的CVD方法，包括如下步骤将前述基板装入处理容器内，加热至处理温度的工序；对于被加热至前述处理温度的前述基板，交互多次供给含有六乙氨基二硅烷气体的第一处理气体和含有氨气体的第二处理气体，在所述基板上堆积硅氮化膜的工序；这里，前述第二处理气体以通过等离子体化而激发的状态供给。
图1为表示涉及本发明实施方式1的成膜装置(纵型CVD装置)的截面图。
图2为表示对处理条件进行各种变更时堆积的硅氮化膜和蚀刻率之间关系的图表。
图3为表示涉及本发明实施方式2的成膜装置(纵型CVD装置)的截面图。
图4为表示图3所示的装置的一部分的横截平面图。
图5为表示实施方式2中第一和第二处理气体的供给时间的时间图。
具体实施例方式
本发明人在本发明的开发过程中，对以热CVD形成硅氧化膜或硅氮化膜的现有方法进行了研究，其结果，获得下述见解。
随着半导体集成电路的配线等的更加高细微化和高集成化，硅氧化膜或硅氮化膜也在进一步薄膜化。关于热CVD的成膜处理时的温度，由于需要维持在下层已经形成的各种膜的电特性，也在进一步低温化。比如，通过热CVD堆积硅氮化膜时，目前使用760℃左右的高温处理温度。最近，通过热CVD堆积硅氮化膜时，有时也使用600℃左右的处理温度。
另外，形成绝缘膜之后，可能在绝缘膜的表面附着有有机物或微粒等污染物。因此，在绝缘膜上形成另外的薄膜之前，为了除去该污染物，有时进行清洁处理。在该清洁处理中，将半导体晶片浸入稀氢氟酸等的清洁液中。这样，蚀刻绝缘膜的表面，非常薄地削去其表面，除去污染物。
以比如760℃左右的高温处理温度的热CVD做成由硅氮化膜构成的绝缘膜时，绝缘膜清洁时的蚀刻率相当小。这样，在清洁时该绝缘膜就不会被过度削去，可在膜厚度的控制性良好状态下，进行清洁处理。
可是，在以比如600℃左右的低处理温度的热CVD制作由硅氮化膜构成的绝缘膜时，绝缘膜清洁时的蚀刻率相当大。这样，有时在清洁时该绝缘膜被过度地削去，清洁处理时的膜厚度的控制性变差。
与此相反，在硅氮化膜的热CVD中，如果以六乙氨基二硅烷为原料使用，可以减小清洁时的蚀刻率。即，在清洁时硅氮化膜不会被过度削去，可在膜厚度的控制性良好状态下，进行清洁处理。
以下，关于根据这种见解构成的本发明的实施方式，参照附图进行说明。另外，在以下的说明当中关于具有大致相同的功能及结构的构造要素，赋予同一符号。重复说明仅在必要的情况下进行。
实施方式1图1为表示涉及本发明实施方式1的成膜装置(纵型CVD装置)的截面图。该成膜装置2是这样构造的采用含有硅系材料气体的六乙氨基二硅烷[C12H36N6Si2](以下也称“HEAD”)气体和NH3气体的处理气体堆积硅氮化膜(以下称“SiN”)。
成膜装置2包括具有内筒4和外筒6的双重管构造的处理容器8。内筒4和外筒6都由石英制的圆筒体构成，它们中间有规定缝隙10，呈同心圆状配置。处理容器8的外侧由电加热器等加热器12和具有隔热材料14的加热炉16覆盖。加热器12配置在整个隔热材料14的内面。
处理容器8的下端，由比如不锈钢制筒体状的多支管18支撑。内筒4的下端，由从多支管18的内壁向内侧突出的环状支撑板18A支撑。石英制晶片舱20通过多支管18的下端开口进行升降，这样，对于处理容器8，晶片舱20被装载或卸载。
在晶片舱20中，作为被处理基板，多层地装载有多片半导体晶片W。比如，在本实施方式的情况下，晶片舱20中可以以大致等间距多层地支撑150片左右的直径为200mm的制品晶片和20片左右的模拟晶片。即，晶片舱20整体上可装入170片左右的晶片。
晶片舱20通过石英制保温筒22放置在旋转台24上。旋转台24支撑在贯通开闭多支管18下端开口的盖体26的旋转轴28上。
旋转轴28的贯通部上设置有比如磁性流体密封件30，气密性地密封旋转轴28的同时，还能够旋转地支撑它。在盖体26的周边和多支管18的下端部，设置有比如由O形圈等制成的密封部件32，维持处理容器8内的密封性。
旋转轴28安装在比如支撑在晶片舱电梯等的升降机构34上的臂杆36的前端。通过升降机构34，晶片舱20和盖体26等被一体地升降。在多支管18的侧部，设置有从内筒4和外筒6之间的缝隙10的底部排出容器内气体的排气口38。排气口38上连接有配置了真空泵等的真空排气系统(未图示)。
在多支管18的侧部，连接有为了向内筒4内供给规定处理气体的气体供给部40。气体供给部40具有供给含硅气体的第一处理气体的第一供给系统42和供给含氮化气体的第二处理气体的第二处理系统44。这里，作为含硅气体使用HEAD，作为氮化气体使用NH3气体。在第一和第二处理气体中，根据需要混合有适量的载体气体，但在下面，为了说明简单起见，关于载体气体并不言及。
关于第一和第二气体供给系统40、42，分别具有贯通多支管18的侧壁设置的直线状喷嘴48、50。各个喷嘴48、50上分别连接第一和第二处理气体流路60、62。在气体流路60、62上，为了边分别控制流量，边供给第一和第二处理气体，分别配置有像质量流控制器那样的流量控制器54、56。本实施方式中，处理容器8的内筒4的内径为240mm左右，高度为1300mm左右这样的大小；处理容器8的容积为110升左右。
下面，关于使用上述构造的装置进行的实施方式1的成膜方法做出说明。
首先，晶片舱在卸载状态下，成膜装置在待机状态期间，维持处理容器8内部在处理温度比如450℃左右。另一方面，在处理容器8外，将比如150片制品晶片和20片模拟晶片移载至晶片舱20上。这样，通过抬起盖体26，将装有晶片W的常温晶片舱20从处理容器8的下方向其内部装载。然后，通过盖体26关闭处理容器8的多支管18的下端开口来封闭处理容器8内部。
接着，真空抽气处理容器8内部，将其维持在规定的处理压力比如106Pa(0.8Torr)左右。另外，升高晶片温度，待机至稳定在成膜用的处理温度比如450℃左右。
随后，一边控制流量，一边从气体供给部40的各个喷嘴48、50供给包含HEAD气体的第一处理气体和包含NH3气体的第二处理气体。两气体分别被供给至处理容器8的下部，混合在一起，一边抬升处理空间S一边反应，在晶片W的表面堆积形成硅氮化膜的薄膜。抬升了处理空间S的处理气体，在处理容器8内的顶板部折返，经内筒4和外筒6之间的缝隙10向下流动，从排气口38被排气到处理容器8外。
此时，成膜时的处理温度优选为400～600℃，更优选为430～550℃。NH3气体的流量相对于HEAD气体的流量比，优选为30～200，更优选为50～200。NH3气体的流量优选为10～3000sccm，更优选为1000～2000sccm。处理压力优选为27～1333Pa(0.2～10Torr)，更优选为27～133.3Pa(0.2～1.0Torr)。
这样形成的实施方式1的硅氮化膜尽管处理温度低，但是对其表面清洁时采用的稀氢氟酸的蚀刻率小。即，根据实施方式1的硅氮化膜，能够防止在清洁处理时过度地削去，提高该膜厚度的控制性。另外，根据条件不同，实施方式1的硅氮化膜相对于稀氢氟酸的蚀刻率，比起使用二氯硅烷和NH3气体通过以760℃左右的处理温度进行热CVD形成的硅氮化膜的情况，也能够减小。
为了进行实施方式1的硅氮化膜的评价，进行了实验。在此，对处理温度、气体流量(气体流量比)、处理压力等处理条件进行各种变更制成硅氮化膜，测量对于该稀氢氟酸的蚀刻率。另外，作为比较例子，对于使用六氯硅烷(以下也称“HCD”)成膜的硅氮化膜(一部分包含乙烯气)，也进行了同样的实验。
图2为表示对处理条件进行各种变更堆积的硅氮化膜和蚀刻率之间关系的图表。图2中，蚀刻率通过将基准值(参照特性A)设为1时的比，即正规化蚀刻率表示。该基准值(参照特性A)是使用氨气体和二氯硅烷(DCS)，将处理温度设定为760℃(目前的成膜方法)，制成硅氮化膜的蚀刻率。
图2中的特性B表示使用HCD和NH3，以600℃的处理温度成膜的情况。在此情况下，气体种类不同，但是与特性A比较由于温度低了160℃左右，所以，SiN膜的正规化蚀刻率上升到5.01。即，其结果意味着SiN膜在清洁处理时被过度地削去，不是理想的。
图2中的特性C表示使用HCD和NH3(也加入一部分乙烯气)，以450℃的处理温度成膜的情况。在此情况下，与特性B比较温度进一步降低150℃左右，所以SiN膜的正规化蚀刻率上升到21.75。这说明膜质极端地恶化了，是非常不理想的。
另一方面，图2中的特性D表示使用HEAD和NH3，以550℃的处理温度成膜的情况。在此情况下，SiN膜的正规化蚀刻率为0.10左右。该数值低到特性A的1/10左右，是非常理想的。
图2中的特性E及特性F表示使用HEAD和NH3，进而使处理温度降低到450℃及430℃成膜的情况。在这些情况下，SiN膜的正规化蚀刻率分别为0.67左右和1.44左右。特性E和特性F虽然不象D的情况时那么好，但是，表示了与特性A大致相同的特性，特性E和特性F也都是理想的。
进一步使用HEAD和NH3，以350℃的处理温度进行了成膜处理，结果，此时的膜质中SiO2占据了几乎所有成分，未能形成SiN膜。
从以上结果可知如特性D～特性F所示，即使将处理温度降低到430～550℃，也可以获得与以往使用DCS气体以760℃的温度形成的SiN膜大致同等，或者低于其蚀刻率的SiN膜。另外，分析特性D～特性F的各SiN膜的膜质，结果特性F的SiN膜在氮气混合量这一点上，与特性D及特性E的SiN膜相比，膜质也差了一些。因此，考虑到SiN膜的膜质，可知处理温度优选在450～550℃的范围内。
另外，特性D～特性F中，关于气体流量，与使HEAD气体在10sccm～30sccm的范围内变化不同，将NH3气体固定在900sccm。这样，NH3气体的流量即使在HEAD气体的30～90倍范围内变化，蚀刻率也是小的，且可以形成膜质高的SiN膜。
再有，关于处理压力，如特性D～特性F所示，即使在27Pa(0.2Torr)～106Pa(0.8Torr)的范围内变化，也可得到良好的SiN膜。进而，增大处理压力至1330Pa(10Torr)左右进行了评价，结果，在此情况下蚀刻率也低，可得到膜质高的SiN膜。
实施方式2图3为表示本发明实施方式2的成膜装置(纵型CVD装置)的截面图。图4为表示图3所示的装置的一部分的横断平面图。该成膜装置130是这样构造而成的交互供给包含六乙氨基二硅烷(HEAD)气体的第一处理气体和包含NH3气体的第二处理气体，堆积形成硅氮化膜。
等离子体处理装置130具有下端开口的有顶部的圆筒体状处理容器132。整个处理容器132由比如石英制成。处理容器132的顶部上设置有石英制的顶板134，起密封作用。在处理容器132的下端开口处，通过O形圈等的密封材料138，连接有比如由不锈钢制成的呈圆筒体状的多支管136。
处理容器132的下端，由比如不锈钢制成的呈圆筒体状的多支管136支撑。石英制的晶片舱140穿过多支管136的下端开口升降，这样，对于处理容器132，晶片舱140进行装载或卸载。晶片舱140中，作为被处理基板分多层地装入多片半导体晶片W。比如，在本实施方式的情况下，晶片舱140的支柱140A上，能够以大致等间距分多层地支撑比如60片左右直径为300mm的晶片W。
晶片舱140通过石英制的保温筒142放置在台子144上。台子144支撑在贯通开闭多支管136下端开口的比如不锈钢制盖体146的旋转轴148上。
在旋转轴148的贯通部，设置有比如磁性流体密封件150，在气密地密封旋转轴148的同时，又可旋转地起支撑作用。在盖体146的周边部和多支管136的下端部设置有比如由O形圈构成的密封部件152，维持容器内的密封性。
旋转轴148安装在比如支撑在晶片舱电梯等的升降机构154上的臂杆156的前端。通过升降机构154，晶片舱140及盖体146等被一体地升降。另外，也可以将台子144固定于盖体146一侧设置，不使晶片舱140旋转，进行晶片W的处理。
在多支管136的侧部，连接有用于向处理容器132内供给规定处理气体的气体供给部。气体供给部包括供给含有HEAD的第一处理气体的第一供给系统160和供给含有NH3气体的第二处理气体的第二供给系统162。在第一和第二处理气体中，根据需要混合有适量的载体气体，但在下面，为了说明简单起见，关于载体气体并不言及。
具体地说，第一供给系统160具有两根第一喷嘴164，所述第一喷嘴由向内侧贯通多支管136的侧壁，朝上方弯曲延伸的石英管制成(参照图4)。各第一喷嘴164上，隔开规定间隔，沿着其长度方向(上下方向)且跨越晶片舱140上的全体晶片W，形成有多个气体喷射孔164A。各气体喷射孔164A对晶片舱140上的多个晶片W，在水平方向上大致均匀地供给第一处理气体，形成平行的气体流。另外，第一喷嘴164也可以不是两根，而是仅设置一根。
第二供给系统162也具有第二喷嘴164，所述第二喷嘴由向内侧贯通多支管136的侧壁，朝上方弯曲延伸的石英管制成。第二喷嘴164上，隔开规定间隔，沿着其长度方向(上下方向)且跨越晶片舱140上的全体晶片W，形成有多个气体喷射孔166A。各气体喷射孔166A对晶片舱140上的多个晶片W，在水平方向上大致均匀地供给第一处理气体，形成平行的气体流。气体喷射孔166A的直径比如为0.4mm左右。
在处理容器132的一部分侧壁上，沿着其高度方向设置有等离子体生成部168。在与等离子体生成部168相对的处理容器132的相反一侧，为了将其内部环境气体排为真空，设置有通过比如在上下方向削刻处理容器132的侧壁而形成的细长排气口170。
具体地说，等离子体生成部168具有通过沿上下方向以规定宽度削刻处理容器132的侧壁而形成的上下细长开口172。开口172被气密地焊接结合在处理容器132的外壁的石英制盖子174遮盖。盖子174形成断面凹状，向处理容器132的外侧突出，且具有上下细长的形状。
根据这样的构造，形成从处理容器132的侧壁突出且一侧向处理容器132内开口的等离子体生成部168。即，等离子体生成部168的内部空间连通于处理容器132内。开口172在上下方向上足够长，以在高度方向上能够遮盖保持在晶片舱140中的所有晶片W。
在盖子174两侧壁的外侧面上，沿着其长度方向(上下方向)互相相对地设置有一对细长电极176。电极176上通过供电线路180连接有产生等离子体用的高频电源178。通过向电极176施加比如13.56MHz的高频电压，在一对电极176之间形成用于激发等离子体的高频电场。另外，高频电压的频率不限于13.56MHz，也可以采用其它的频率，比如400kHz等。
第二喷嘴166在比晶片舱140上的最下层的晶片W更下的位置，朝向处理容器132的半径方向外方弯曲。之后，第二喷嘴166在离子体生成部168内最里面(离处理容器132的中心最远的部分)的位置垂直竖立。如图4所示，第二喷嘴166设置在一对相对的电极176所夹持的区域(高频电场最强的位置)，即比主要等离子体实际产生的等离子体产生区域PS还向外侧偏离的位置。从第二喷嘴166的气体喷射孔166A喷射出的含有NH3气体的第二处理气体，喷射向等离子体产生区域PS，在此被激发(分解或者活性化)，在这样的状态下供给晶片舱140上的晶片W。
在盖子174的外侧，安装有比如由石英制成的绝缘保护盖182以覆盖它。在绝缘保护盖182的内侧，即与电极176相对的部分，设置有由冷媒通路184构成的冷却机构186。作为冷媒，通过向冷媒通路184流入比如冷却了的氮气，电极176被冷却。另外，在绝缘保护盖182的外侧，为了防止高频的泄露设置有防护罩以覆盖着它。
在等离子体生成部168的开口172的外侧附近，即在开口172外侧(处理容器132内)的两侧，竖立地设置有两根第一喷嘴164。从设置在第一喷嘴164的各气体喷射孔164A向处理容器132的中心方向喷射含有HEAD气体的第一处理气体。
另一方面，在与等离子体生成部168相对设置的排气口170上，为了覆盖它而通过焊接安装有由石英制成的截面为コ字状的排气口盖子构件190。排气口盖子构件190沿着处理容器132的侧壁向上延伸，在处理容器132的上方形成气体出口192。气体出口192上连接有设置了真空泵等的真空排气系统(未图示)。
包围着处理容器132，设置有加热处理容器132内的环境气体及晶片W的加热器194。在处理容器132内的排气口70附近，设置有控制加热器194的热电偶196(参照图4)。
下面，关于使用上述构造的装置进行的实施方式2的成膜方法进行说明。
首先，与实施方式1同样，将装入晶片W的晶片舱140装载于处理容器132内。然后，将处理容器8内抽成真空，维持在规定的处理压力比如106Pa(0.8Torr)左右。另外，使晶片温度提高，待机直到稳定至成膜用的处理温度比如400℃左右。
接着，分别一边控制流量，一边从第一和第二喷嘴164、166交互供给含有HEAD气体的第一处理气体和含有NH3气体的第二处理气体。具体地说，第一处理气体从第一喷嘴164的气体喷射孔164A对晶片舱140内的多个晶片W形成平行气流，供给出去。再有，第二处理气体从第二喷嘴166的气体喷射孔164A对晶片舱140内的多个晶片W形成平行气流，供给出去。两气体在晶片W上发生反应，这样，就在晶片W上形成硅氮化膜。
从第二喷嘴166的气体喷射孔164A供给出去的第一气体在通过一对电极176之间的等离子体产生区域PS时被激发，一部分被等离子体化。此时，产生比如N*、NH*、NH2*、NH3*等原子团(活性种)[记号(*)表示是原子团]。这些原子团从等离子体168的开口172向处理容器132的中心流出，在晶片W相互之间以层流状态供给。
上述原子团与附着在晶片W表面的HEAD气体的分子发生反应，这样，就在晶片W上形成硅氮化膜。而且，与此相反，在晶片W的表面附着有原子团的情况下，如果HEAD气体流来，也同样发生反应，在晶片W上形成硅氮化膜。
图5为表示实施方式2中第一和第二处理气体的供给时间的时间图。如图5所示，第一和第二处理气体被交互间隔地供给，这期间，设置有通过抽真空排除处理容器132内残留气体的清洗期间T3。这样，第一和第二处理气体多次重复交互供给周期，通过堆积每一周期形成的硅氮化膜薄膜，得到最终厚度的硅氮化膜。
另外，这里所谓“清洗”，意思是通过向处理容器132内流入N2气体等不活泼性气体及/或真空排气处理容器132内，除去处理容器132内的残留气体。在实施方式2中，供给第一和第二处理气体时，停止处理容器132内的真空排气。不过，在一边供给第一和第二处理气体一边对处理容器132内进行真空排气的情况下，可以跨越第一和第二处理气体的供给期间及清洗期间，持续进行处理容器132内的真空排气。
图5中，设定如下含有HEAD气体的第一处理气体的供给期间T1约为1～60秒，优选约为1～20秒，含有NH3气体的第二处理气体的供给期间T2约为1～60秒，优选约为1～10秒，清洗期间T3约为1～60秒，优选约为1～5秒。换言之，第一和第二处理气体的每次供应量及供给期间，按如下要求设定通过一次一次地供给第一和第二处理气体得到的硅氮化膜的堆积厚度优选为0.05～0.5nm，更为理想的是0.1～0.2nm。因此，如果最终的硅氮化膜厚度为10～30nm，那么循环数优选是20～600次，更为理想的是50～300次。
另外，成膜时的处理温度设定为优选是300～600℃，更为理想的是350～550℃。NH3气体的流量对于HEAD气体的流量之比设定为优选是30～200，更为理想的是50～200。一个周期中NH3气体的流量设定为优选是10～3000sccm，更为理想的是1000～2000sccm。处理压力设定为优选是27～1333Pa(0.2～10Torr)，更为理想的是27～133.3Pa(0.2～1.0Torr)。
根据实施方式2的成膜方法，与实施方式1相比，可以更加提高硅氮化膜的特性。实验中，在以同样处理温度成膜的情况下，实施方式2的硅氮化膜，比起实施方式1的硅氮化膜，确认到对于稀氢氟酸的蚀刻率变小。换言之，根据实施方式2的成膜方法，即使以较低的处理温度成膜，与实施方式1同样，也可得到低蚀刻率的硅氮化膜。因此，在实施方式2的成膜方法中，可以降低处理温度，可以降低对于基底侧的半导体器件构造的不良影响。
另外，在上述的实施方式1及2中，作为成膜装置，以纵型的间歇式成膜装置进行了说明。但是，并不局限于此，也可将本发明适用于横型的间歇式成膜装置或者一片一片地处理被处理基板的单片式成膜装置。
而且，作为被处理基板，不局限于半导体晶片，也可将本发明适用于玻璃基板或者LCD基板等上。
产业上的可应用性根据本发明，可以提供一种CVD方法，它作为在被处理基板上形成硅氮化膜的CVD方法，即使以比较低的处理温度进行成膜，也能够良好地维持随后进行的清洁处理中硅氮化膜的膜厚度的控制性。
权利要求
1.一种在被处理基板上形成硅氮化膜的CVD方法，其特征在于，包括将所述基板装入处理容器内，加热至处理温度的工序；和对被加热至所述处理温度的所述基板供给含有六乙氨基二硅烷气体和氨气体的处理气体，在所述基板上堆积硅氮化膜的工序。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理温度设定为400～600℃。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氨气体的流量相对于所述六乙氨基二硅烷气体的流量比设定为30～200。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在堆积所述硅氮化膜时，一边向所述处理容器内供给处理气体，一边排出所述处理容器内的气体，这样，所述处理容器内的处理压力设定为27～1333Pa。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述处理容器构成为在上下设置间隔以层积状态收纳多个被处理基板，所述多个被处理基板通过设置在所述处理容器周围的加热器加热。
6.一种在被处理基板上形成硅氮化膜的CVD方法，其特征在于，包括将所述基板装入处理容器内，加热至处理温度的工序；对被加热至所述处理温度的所述基板交互多次供给含有六乙氨基二硅烷气体的第一处理气体和含有氨气体的第二处理气体，在所述基板上堆积硅氮化膜的工序；这里，所述第二处理气体以通过等离子体化而激发的状态供给。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在每次中，所述第一处理气体供给1～60秒，所述第二处理气体供给1～60秒。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一和第二处理气体的每次供给量和供给期间设定为由各供给一次所述第一和第二处理气体得到的所述硅氮化膜的堆积厚度为0.05～0.5nm。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在供给所述第一处理气体和供给所述第二处理气体之间，通过停止供给所述第一和第二处理气体的同时，排出所述处理容器内的气体，来进行所述处理容器内的清洗。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述处理温度设定为300～600℃。
11.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述氨气体的流量相对于所述六乙氨基二硅烷气体的流量比设定为30～200。
12.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二处理气体在连通所述处理容器的空间内通过设置在所述第二处理气体的供给口和所述基板之间的等离子体产生区域时，被激发。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述等离子体产生区域具有通过附设于所述处理容器的电极和高频电源，在所述第二处理气体的供给口和所述基板之间形成的高频电场。
14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述处理容器构成为在上下设置间隔以层积状态收纳多个被处理基板，所述多个被处理基板通过设置在所述处理容器周围的加热器加热。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一和第二处理气体从跨越所述多个被处理基板在上下方向配列的多个第一气体喷射孔和多个第二气体喷射孔分别地供给，从而对所述多个被处理基板形成平行的气流。
全文摘要
该CVD方法是在被处理基板(W)上形成硅氮化膜。该方法包括将基板(W)装入处理容器(8)内，加热至处理温度的工序；对被加热至处理温度的基板(W)供给含有六乙氨基二硅烷气体和含有氨气体的处理气体，在基板(W)上堆积硅氮化膜的工序。
文档编号C23C16/46GK1701424SQ200480000830
公开日2005年11月23日 申请日期2004年1月19日 优先权日2003年1月24日
发明者加藤寿, 织户康一, 菊地宏之, 真久眞吾 申请人:东京毅力科创株式会社