技术编号:4279991
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过使载气在填充有室温下为固态的有机金属化合物的 容器中流动,以将有机金属化合物连同载气一起供给的装置。背景技术在化合物半导体器件的制造中,通常使用MOCVD方法(金属有机化 学气相沉积方法)。在这种方法中,重要的是使室温下为固态的有机金属化 合物稳定地气化以及供应该气化的有机金属化合物。过去,作为用于使在室温下为固态的有机金属化合物气化并且供应该 气化的有机金属化合物的供给装置,已知的是在专利文件1中公开的 供给装置。在专利文件1中公开的供给装...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。