技术编号：4447547
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光化学蚀刻以在基底上形成空腔。背景技术 光化学蚀刻通常包括在已涂覆光刻胶材料层的可蚀刻基底上放置掩模，然后曝光该光刻胶材料。如果使用负性光刻胶，则曝光区域的光刻胶被固化并且耐化学蚀刻剂。用溶剂洗去未曝光的光刻胶区域，使得下面的基底层的一部分未被覆盖以备蚀刻。如果使用正性光刻胶，则曝光区域不牢固并易于洗去。当已施用光刻胶掩模时，将化学蚀刻剂施用到基底以在基底上未覆盖的区域产生空腔。通常的应用，例如用于制造钩子紧固件的微钩模，寻求制造具有复杂形状的非...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。