技术编号:4851721
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。背景技术 应用于太阳能电池的硅片一般有二种制造方法,一种是铸造多晶硅的方法,这种方法工艺简单、生产成本低,可以直接切割成方块晶锭,从而很方便地切割成太阳能电池所用的方块硅片,但这种方法生产的硅片,结构形态是多晶态,缺陷多,杂质含量高,生产出的太阳能电池光电转换效率也低。另一种方法是直拉法(Czochralski法)生产硅单晶的方法,这种方法生产的硅片晶体结构比铸造多晶硅片完整,杂质含量比铸造多晶硅片低,用这种硅片生产的太阳能电池光电转换效率...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。