技术编号：4920079

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本发明公开了通过反应蒸馏法制造超高纯度硅烷和通式HySiX4-y(y＝1、2或3)的氢卤硅烷的系统和方法。专利说明制造娃院和氢南娃院的方法[0001]相关申请的交叉引用[0002]本发明是2011年12月16日提交的美国申请13/328，820号的部分继续申请，其全文通过引用并入本文中。[0003]本发明涉及制造硅烷和通式HySiX4_y(y = 1、2或3)的氢卤硅烷的系统和反应蒸馏法。背景技术[0004]硅烷(SiH4)、氯硅烷(H3SiCl)和二氯硅...
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