技术编号:4997549
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种纳米ZnO-SnO2复合氧化物光催化剂的制备方法。两种不同禁带宽度半导体的复合能增强电荷分离,抑制电子-空穴的复合和扩展光致激发波长范围,从而显示出了比单一半导体更好的稳定性和光催化活性。纳米光催化剂能够使得光生载流子从体内扩散到表面所需时间变短,减少了光生载流子的体相复合,并且比表面积增大,增强了催化剂吸附污染物的能力,因而提高光催化降解污染物的效率。纳米ZnO-SnO2复合氧化物光催化剂的制备方法首次是由本课题组的Wang C,Zhao ...
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