技术编号:5030651
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术宽禁带氧化物半导体二氧化钛(TiO2)因其具有优良的光电性能和广泛的应用前景,一直受到人们的极大关注。纳米TiO2具有湿敏、气敏及光催化等功能,因而被广泛用做催化剂、敏感器件、光电和自清洁材料。而比表面积是决定所应用的器件的各种性能的很重要的因素,制备多孔结构的TiO2薄膜是增大薄膜比表面积的重要途径之一。例如在染料太阳能电池中,为增大TiO2薄膜比表面积,增加染料吸附量,通常将TiO2薄膜制备成多孔结构。因而制备多孔结构的TiO2薄膜...
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