技术编号：5264486
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及制备抗反射纳米结构的方法以及由抗反射纳米结构集成的光学器件的制备方法，更具体地，涉及制备抗反射纳米结构的方法，该制备抗反射纳米结构的方法包括以下步骤在基板上涂覆含金属离子与有机或者无机离子的结合物的溶液；采用退火エ艺对所涂覆的溶液进行烧结，来生长纳米级金属粒子；采用烧结的纳米级金属粒子对上述基板进行化学刻蚀，以采用简单方法在较短的エ艺时间内在半导体基板上形成抗反射亚波长纳米结构，而不用真空设备。因此，该抗反射纳米结构能够将半导体材料与空气之间的界...
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