技术编号：5264857
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于材料制备领域，具体涉及一种SnA花状结构纳米材料及其水热制备方法。背景技术SnO2是一种典型的η型直接带隙宽禁带氧化物半导体材料，它具有以下几个方面的优点⑴室温下具有宽带隙(Eg=3.6eV)和高激子束缚能(130meV);(2)低成本；(3)制备方法及产物形态结构多样。以上这些特点使得31!02在半导体器件和功能材料领域具有其独特的优势与宽广的应用潜力，尤其是SnO2低维纳米材料已经在催化剂、锂离子电池的负极材料、电磁波吸收、太阳能电池、传感器...
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