技术编号：5265956
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于宽禁带半导体材料硫化锰的制备方法，具体涉及一种铅笔状Y-MnS 微晶的制备方法。背景技术在材料的合成领域，金属硫化物是一类重要的半导体材料，在光学器件、光电池、 能贮存介质及催化等领域有广泛的应用。MnS是很重要的宽禁带半导体，带隙能为3. 7eV。 在制备太阳能电池的窗口 /缓冲材料，短波光电器件方面有着潜在的应用[ki s J，Tang K B, Yang Q, et al. Solvothermal synthesis of metasta...
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