技术编号：5266275
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米材料领域，特别涉及一种纳米材料的制备方法，特别是涉及一种。背景技术ZnSe是一种宽带隙半导体材料，由于其特殊的光学和光伏特性在蓝绿光电二极管，光致发光，电致发光器件，激光器以及薄膜太阳能电池方面的潜在应用而广受关注。目前常用的制备ZnSe纳米颗粒的方法主要是热注入法。该方法需要采用300度以上的高反应温度，价格昂贵的多种膦基作为表面活性剂。针对这一材料制备方面的不足，本专利提供一种过程简易、原材料价格低廉、条件温和的制备方法，即无膦热注入法。...
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