技术编号：5267161
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种化合物半导体纳米材料及其制备方法，特别是指采用脉冲电沉积 可控制备锑化铟超晶格InSb/Ir^Sb卜x(x = 0. 2_0. 6)纳米线阵列的方法。背景技术在充满生机的21世纪，信息、生物技术、能源、环境、先进制造技术和国防的高速 发展必然对材料提出新的需求，元件的小型化、智能化、高集成、高密度存储和超快传输等 促使材料的研究向更小尺寸方向发展。随着纳米科技的发展，人们已经能够制备量子线、量 子阱、超晶格等各种低维介观结构。在这些介观结构中...
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