技术编号：5268140
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微纳米氧化物半导体异质结构制备领域，特别涉及一种包覆 ZnO纤维异质结构的方法。 背景技术目前众多文献表明，经过掺杂的ZnO或ZnO与其它元素三元化合物的混 合物将会不同程度地提高其气敏、光电等性能，B丄.Zhua等人对Sb-Zn-0薄 膜进行测试分析，实验结果证明当ZnO薄膜出现ZnSb206及Zn2.33Sb。.6704新 相时，其压电性能及气敏性能得到较大的提高(B丄.Zhu， C.S. Xie， A.H. Wang, Electrical...
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