技术编号：5268144
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制备铅基铁电薄膜的方法。 背景技术近年来，铁电陶瓷及其薄膜材料，尤其是铅基铁电薄膜由于具有优良的 铁电、热释电、电光、声光及非线性光学特性，在微电子和光电子领域，尤 其是高容量存储器和非制冷红外探测器方面具有广泛的应用前景。但铁电薄 膜制备方法却存在着一些问题如(1 )在制备铁电薄膜过程中晶化温度过高， 不利于大面积Si集成电路的应用的问题；(2)在制备铁电薄膜过程中织构难 以控制；在(申请日2005年06月24日，申请号为200510021...
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