技术编号：5268334
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及纳米结构材料的制备方法，特别是涉及一种以温度可变的化学气相沉积生长异径单壁碳纳米管的方法。背景技术 单壁碳纳米管基‘纳米结’，包括碳纳米管分子内结和碳纳米管与其它材料形成的异质结等，有望成为未来纳米器件的基本结构单元，在学术研究和应用开发领域都有良好的前景。目前，制备碳纳米管分子内结的方法主要有模板法(templatedgrowth)，碳纳米管生长过程中对催化剂进行掺杂的化学气相沉积(CVD)，热诱导(heated-induced)以及电场诱导(...
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