技术编号：5268495
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种原位产生所需氯化物作气态前驱物，在硅片或石英片表面大面积生长出均一的铬基化合物纳米结构，包括CrN纳米颗粒、纳米线、纳米电缆和CrSi2纳米线、纳米电缆。背景技术 近年来，一维纳米结构(纳米管、纳米线、纳米棒、纳米带及其复合结构)由于其重要的科学价值和潜在的应用前景引起了人们的极大兴趣。理论和实验研究都表明一维纳米结构材料具有一系列优异的性能，如高机械强度、独特的电学、光学和磁学等性质。因此，人们竞相采用各种技术路线来合成各种具有特殊性能的一...
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