技术编号：5270657
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及,其特征在于步骤如下将钼源、硫源及还原剂溶于溶剂中，通过离心搅拌使其均匀的分散到溶液中，移入不锈钢反应釜，密封，恒温100℃～300℃反应24h后，冷却至室温，得到反应产物，分离上述反应产物，洗涤、干燥，得到前驱体MoS2；将MoS2纳米材料置于管式炉中，在空气或氧气气氛中，300℃～600℃下恒温保温24h，退火0.5～5h得到MoO3四方纳米片，厚度在100-150nm，大小1～2μm。本发明方法的原料易得、价格低廉，制备工艺简单、参数易控，...
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