技术编号：5271650
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及。背景技术开发利用宽禁带半导体的较短波长区已经成为半导体、太阳能电池、光电子学等未来发展趋势。紫外光能够运用到高效LED，高密度光存储和DNA分析(利用紫外激光器)，有效感应的日盲检测器等。宽带隙半导体的紫外功能在透明装置和电极方面也有潜在应用价值。纤锌矿结构Zn (Cd)-VIA族二元化合物、Zn (Cd)-X-VIA族三元化合物(X=Mg、Al )、IIIA族-VA族二元化合物、IIIA族-VA族三元化合物具有禁带宽等优良特性。发明内容本发明...
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