技术编号:5274098
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于薄膜涂覆,尤其涉及。背景技术CdTe是重要的I1-VI族化合物半导体材料,具有直接带隙结构(CdTe多晶薄膜在室温下的直接带隙为1.45 eV),可具有η型和ρ型两种导电类型,而且两种载流子的迁移率都较高,吸收系数大于105cm-l,与太阳光谱十分匹配,是一种理想的太阳电池材料,应用前景广泛。CdTe多晶薄膜的制备技术很多,有近十余种制备技术,如物理气相沉积法、近空间升华法、气相输运沉积法、溅射法、电化学沉积法、喷涂沉积法、金属有机化学气相沉积法...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。