技术编号:5278235
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子工程,具体是。背景技术当今世界对电子元器件小型化、高性能的要求以及薄膜制备技术的发展,介电薄膜材料应运而生。BiixSivxTiO3 (X=(Tl)介电薄膜具有较高的介电常数和较低的介质损耗, 是非常理想的高压陶瓷电容器制备材料,被誉为“电子工业的支柱”。目前用于制备钛酸盐系介电薄膜的技术较多,主要包括脉冲激光沉积法、磁控溅射沉积法、溶胶-凝胶法、金属有机物化学气相沉积法等,这些方法虽然各有优点和特色,但存在着各自的局限性。脉冲激光沉积法虽可...
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