技术编号:5278434
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种聚吡咯纳米管嵌纳米孔阵列材料及其制备方法和超级电容器电化学储能应用,属于高分子材料领域。背景技术导电聚合物具有非定域π电子共轭体系,经过离子掺杂后具备一定的电导率,它既具有金属和半导体的导电特性,又保留了聚合物的轻质、柔性和可加工的特性,因此,导电聚合物在能源、信息、光电子、化学和生物传感器、电磁屏蔽以及金属防腐等领域都具有广阔的应用前景,常见的导电聚合物有聚乙炔、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚苯撑及其衍生物寸。导电聚吡咯是一种典型的导电聚合物,...
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