技术编号:5281074
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及;属于光电薄膜材料制备。本发明采用一种电沉积与化学反应结合的制备方法,首先将导电衬底作为工作电极置于电解质溶液中,用电沉积的方法制备所需要的单组元金属或合金薄层薄膜,随后将衬底浸入含硫属阴离子的前驱体溶液,上述薄膜在溶液中发生反应生成一层目标化合物薄膜,然后将得到的薄膜进行预退火处理。重复以上步骤,控制循环次数得到所需厚度的化合物薄膜预制层,最后将得到的预制层进行热处理得到金属硫属化合物薄膜。本发明解决了现有技术中薄膜成分、厚度不易控制,薄膜干燥...
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