技术编号:5288916
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制备CdS薄膜的方法,具体涉及。背景技术硫化镉(CdS)晶体是一种较典型的II-VI族压电半导体材料,CdS薄膜在异质结太 阳电池中是一种重要的η型窗口材料也是一种半导体光敏材料,具有较大的带隙宽度(约 2. 45ev)。因其具有特殊的光学、电学性质,已被广泛应用于各种发光器件、光伏器件、光学 探测器以及光敏传感器等领域。作为一种非常有前途的半导体材料,硫化镉引起了全世界 范围的研究兴趣。目前所报道的制备CdS光学薄膜的制备方法主要有溅射法 ...
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