技术编号:54677
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。专利摘要本申请涉及SiC生产技术领域,具体为一种SiC生长坩埚平台。该装置通过螺栓将两块石墨平台连接在一起,并将坩埚固定于两块石墨平台之间,当石墨受热膨胀时,由于螺栓的固定,石墨平台不会发生位置平移,从而保障了坩埚位置的稳定性。另外,在两块石墨平台相对的一侧,在每个石墨平台上设有一个半圆,两个半圆内侧设置有加热套,坩埚正好放置于该加热套内,使得坩埚受热均匀,避免了坩埚内由于局部过热而对产品造成影响,也避免了坩埚内由于局部受不到热,而对能源造成浪费。专利说明一种Si C生长坩埚平台技术领域[0001 ]本申请涉及Si...
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