一种SiC生长坩埚平台的制作方法

专利名称:一种SiC生长坩埚平台的制作方法
【专利摘要】本申请涉及SiC生产技术领域，具体为一种SiC生长坩埚平台。该装置通过螺栓将两块石墨平台连接在一起，并将坩埚固定于两块石墨平台之间，当石墨受热膨胀时，由于螺栓的固定，石墨平台不会发生位置平移，从而保障了坩埚位置的稳定性。另外，在两块石墨平台相对的一侧，在每个石墨平台上设有一个半圆，两个半圆内侧设置有加热套，坩埚正好放置于该加热套内，使得坩埚受热均匀，避免了坩埚内由于局部过热而对产品造成影响，也避免了坩埚内由于局部受不到热，而对能源造成浪费。
【专利说明】
一种Si C生长坩埚平台
技术领域
[0001 ]本申请涉及SiC生产技术领域，具体为一种SiC生长坩祸平台。
【背景技术】
[0002]人造SiC通常是在坩祸中进行生产的，坩祸是通过石墨平台进行支撑的，石墨平台起到均热作用。在SiC生长过程中，需要反复对坩祸进行加热和冷却，石墨平台也需要经历反复不断的膨胀和收缩，石墨平台的膨胀和收缩会导致坩祸的中心位置发生偏移，使得坩祸在使用过程中不稳定，容易晃动，一旦坩祸在使用过程中发生晃动，极易导致坩祸内的温场不均匀，严重影响SiC的质量。
[0003]另外，在现有技术中坩祸加热一般采用直接在坩祸外面通电的方式，但是该方式使得坩祸受热不均匀，影响了 SiC晶体的生长。
[0004]基于上述问题，设计发明一种新型的SiC生长坩祸平台就显得尤为必要。

【发明内容】

[0005]为了克服现有技术中的缺陷，本申请提供了一种新型的SiC生长坩祸平台，该装置通过螺栓将两块石墨平台连接在一起，并将坩祸固定于两块石墨平台之间，当石墨受热膨胀时，由于螺栓的固定，石墨平台不会发生位置平移，从而保障了坩祸位置的稳定性。另外，在两块石墨平台相对的一侧，在每个石墨平台上设有一个半圆，两个半圆内侧设置有加热套，坩祸正好放置于该加热套内，使得坩祸受热均匀，避免了坩祸内由于局部过热而对产品造成影响，也避免了坩祸内由于局部受不到热，而对能源造成浪费。
[0006]为了实现上述目的，本申请采取的技术方案如下:
[0007]—种SiC生长坩祸平台，包括第一石墨平台和第二石墨平台，所述的第一石墨平台和第二石墨平台通过两个螺栓连接在一起，两根螺栓分别贯穿第一石墨平台和第二石墨平台的两侧，所述的第一石墨平台和第二石墨平台相对的一侧，在每个平台上分别设有半圆，两半圆大小及相对位置为对应的，两个半圆内侧设置有加热套，坩祸正好放置于该加热套内；
[0008]在第二石墨平台的一侧为螺帽，在第一石墨平台的一侧为螺母;在螺帽与第二石墨平台之间设有弹簧；
[0009]所述的第一石墨平台和第二石墨平台放置在不锈钢底座上，且不锈钢底座上开设有通气孔，通气孔起到通风散热的作用；
[0010]由于两个石墨平台通过螺栓连接在一起，对石墨平台起到了固定作用，而第二石墨平台外侧弹簧的设置，使得石墨平台受热膨胀时，会想着外侧移动，而弹簧能缓冲这种压力，而避免了螺帽对石墨平台的挤压，也避免了石墨平台对坩祸的挤压，避免了坩祸由于受压过大而破碎；
[0011]在不锈钢底座上设置通风孔，起到通风散热的作用。
[0012]加热套的设置，使得坩祸受热均匀，避免了坩祸内由于局部过热而对产品造成影响，也避免了坩祸内由于局部受不到热，而对能源造成浪费。
[0013]综上所述，本申请提供的SiC生长坩祸，具有稳定性好，通风散热性能优良，结构简单，使用方便等优点。
【附图说明】

[0014]图1为一种受热均匀好的SiC生长坩祸平台主视示意图；
[0015]图2为一种受热均匀好的SiC生长坩祸平台俯视示意图；
[0016]附图标记
[0017]图中I为第一石墨平台，2为螺栓，3为第二石墨平台，4为螺帽，5为弹簧，6为不锈钢底座，7为通风孔，8为坩祸，9为加热套。
具体实施例
[0018]实施例1
[0019]—种SiC生长坩祸平台，包括第一石墨平台I和第二石墨平台3，所述的第一石墨平台I和第二石墨平台3通过两个螺栓2连接在一起，两根螺栓2分别贯穿第一石墨平台I和第二石墨平台3的两侧，所述的第一石墨平台I和第二石墨平台3相对的一侧，在每个平台上分别设有半圆，两半圆大小及相对位置为对应的，两个半圆内侧设置有加热套9，坩祸8正好放置于该加热套内；
[0020]在第二石墨平台3的一侧为螺帽4，在第一石墨平台I的一侧为螺母;在螺帽4与第二石墨平台3之间设有弹簧5;
[0021]所述的第一石墨平台I和第二石墨平台3放置在不锈钢底座6上，且不锈钢底座6上开设有通气孔7，通气孔7起到通风散热的作用；
[0022]由于两个石墨平台通过螺栓连接在一起，对石墨平台起到了固定作用，而第二石墨平台外侧弹簧的设置，使得石墨平台受热膨胀时，会想着外侧移动，而弹簧能缓冲这种压力，而避免了螺帽对石墨平台的挤压，也避免了石墨平台对坩祸的挤压，避免了坩祸由于受压过大而破碎；
[0023]在不锈钢底座上设置通风孔，起到通风散热的作用。
[0024]加热套的设置，使得坩祸受热均匀，避免了坩祸内由于局部过热而对产品造成影响，也避免了坩祸内由于局部受不到热，而对能源造成浪费。
[0025]综上所述，本申请提供的SiC生长坩祸，具有稳定性好，通风散热性能优良，结构简单，使用方便等优点。
【主权项】
1.一种SiC生长坩祸平台，其特征在于，包括第一石墨平台(I)和第二石墨平台(3)，所述的第一石墨平台(I)和第二石墨平台(3)通过两个螺栓(2)连接在一起，两根螺栓(2)分别贯穿第一石墨平台(I)和第二石墨平台(3)的两侧，所述的第一石墨平台(I)和第二石墨平台(3)相对的一侧，在每个平台上分别设有半圆，两半圆大小及相对位置为对应的，两个半圆内侧设置有加热套(9)，坩祸(8)正好放置于该加热套内。2.如权利要求1所述的SiC生长坩祸平台，其特征在于，在第二石墨平台(3)的一侧为螺帽(4)，在第一石墨平台(I)的一侧为螺母；在螺帽(4)与第二石墨平台(3)之间设有弹簧(5)。3.如权利要求1所述的SiC生长坩祸平台，其特征在于，所述的第一石墨平台(I)和第二石墨平台(3)放置在不锈钢底座(6)上，且不锈钢底座(6)上开设有通气孔(7)。
【文档编号】C30B35/00GK205711043SQ201620384311
【公开日】2016年11月23日
【申请日】2016年4月29日
【发明人】宗艳民
【申请人】山东天岳晶体材料有限公司