技术编号：5723819
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型涉及一种气阀装置，主要为配置于半导体蚀刻薄膜制程的设备， 用以控制反应室内蚀刻气体的流量。背景技术半导体的蚀刻薄膜技术有许多种，例如湿蚀刻、干蚀刻、电浆蚀刻、化学气相沉积(CVD, Chemical Vapor Deposition)、物理气相沉积(PVD， Physical Vapor Deposition)、气体蚀刻等方式。气体对半导体的蚀刻薄膜反应过程中，当 气体导入反应室前必须经由气阀装置控制流量，若该气阀装置受感知后反应驱 动运转的速度...
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