技术编号：5839905
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明系相关于 一种电流侦测技术，尤指 一种容易在一积体电路 制作之电流侦测电路。背景技术目前侦测功率电晶体(Power MOS)电流的方法是侦测电晶体 串联一侦测电阻。请参考第1图，第1图为先前技术一传统电流侦测 电路之示意图。两个电晶体以并联方式耦接。电晶体12为功率电晶 体，电晶体14为侦测电晶体。功率电晶体12以及侦测电晶体14以 相同制程制作于相同基板，特性应该相同。功率电晶体12的电流l1 与远大于侦测电晶体14的电流12有一比例，功率电晶体1...
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