专利名称：电流侦测电路的制作方法
技术领域：
本发明系相关于 一种电流侦测技术，尤指 一种容易在一积体电路 制作之电流侦测电路。
背景技术：
目前侦测功率电晶体(Power MOS)电流的方法是侦测电晶体 串联一侦测电阻。请参考第1图，第1图为先前技术一传统电流侦测 电路之示意图。两个电晶体以并联方式耦接。电晶体12为功率电晶 体，电晶体14为侦测电晶体。功率电晶体12以及侦测电晶体14以 相同制程制作于相同基板，特性应该相同。功率电晶体12的电流l1 与远大于侦测电晶体14的电流12有一比例，功率电晶体12的电流 11远大于侦测电晶体14的电流12。侦测电阻Rs将电流转成电压。 侦测电阻Rs之压降侦测功率电晶体12的电流11。
侦测电阻Rs之压降侦测功率电晶体12的电流11。然而，在积 体电路制作侦测电阻Rs，很难不使用大面积，而正确无误地控制数 十欧姆到数百欧姆之低阻值。
发明内容
本发明之主要目的之一在于揭露一种电流侦测电路，可以解决先 前技术中不易在积体电路制作侦测电阻Rs的问题。
本发明系提供一种电流侦测电路，耦接于一电流放大器，其包含
有
一功率电晶体(Power MOS),用于输出一大电流； 一开关，用于决定一侦测期间(sensing period ); 以及 一投切电阻(switching resistor)，阻值大约数K欧姆到数十K 欧姆；其中上述功率电晶体具有一低导通电阻(low on-resistance)特 性，而可不需要一侦测电阻(sensing resistor);上述开关导通时， 上述投切电阻测得一电压降。
于一实施例中，上述测得之电压由上述电流放大器放大。上述投 切电阻之阻值精确度可相对地较低。
第1图为先前技术一传统电流侦测电路之示意图。
第2图为根据本发明之一第一实施例中一电流侦测电路之示意图。
主要元件符号说明
Vdd端 供应端
Rs 侦测电阻
10 电流放大器
12 功率电晶体
14 侦测电晶体
20 电it力文大器
22 功率电晶体
24 开关
26 投切电阻
具体实施例方式
请参考第2图，第2图为根据本发明之一第一实施例中一电流侦 测电路之示意图。上述电流侦测电路，耦接于一电流放大器，其包含 有 一功率电晶体2 2， 一开关2 4;以及一投切电阻2 6。上述功率电晶体2 2具有一低导通汲极至源极电阻，此特性可用 来代替一侦测电阻。上述功率电晶体2 2可输出一大电流。上述投切 电阻2 6可为一大电阻，阻值大约数K欧姆到数十K欧姆。上述开 关2 4用于决定一侦测期间。上述开关2 4导通时，上述投切电阻2 6测得VDD端及SW端间之电压降。上述测得之电压由上述电流放 大器2 0放大。
上述投切电阻2 6可用阻值精确度较低之电阻，因而第2图之电 流侦测电路容易在 一 积体电路制作。
本发明可容易地制作电流侦测电路，因此，先前技术中很难正确 无误地控制低阻值的问题造成的缺失，能彻底解决。
以上所述仅为本发明之较佳实施例，凡依本发明申请专利范围所做 之均等变化与修饰，皆应属本发明之涵盖范围。
权利要求
1.一种电流侦测电路，耦接于一电流放大器，其包含有一功率电晶体(Power MOS)，用于输出一大电流；一开关，用于决定一侦测期间(sensing period)；以及一投切电阻(switching resistor)，阻值大约数K欧姆到数十K欧姆；其中上述功率电晶体具有一低导通电阻(low on-resistance)特性，而可不需要一侦测电阻(sensing resistor)；上述开关导通时，上述投切电阻测得一电压降。
2. 如权利要求1所述之电流侦测电路，其中上述测得之电压由 上述电流放大器放大。
3. 如权利要求1所述之电流侦测电路，其中上述投切电阻之阻值 精确度可相对地较4氐。
全文摘要
一种电流侦测电路，耦接于一电流放大器，其包含有一功率电晶体(Power MOS)，一开关以及一投切电阻(switching resistor)。上述投切电阻之阻值大约数K欧姆到数十K欧姆。上述功率电晶体可输出一大电流。上述开关可决定侦测期间(sensing period)。上述功率电晶体具有一低导通电阻(low on-resistance)特性，而可不需要一侦测电阻(sensing resistor)。上述开关导通时，上述投切电阻可侦测一电压降。上述电流放大器可放大器上述测得之电压。上述投切电阻之阻值精确度可相对地较低。
文档编号G01R19/00GK101598747SQ20081012767
公开日2009年12月9日 申请日期2008年7月7日 优先权日2008年6月2日
发明者杨能贞 申请人:广鹏科技股份有限公司