技术编号:5872818
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路测试,特别涉及。背景技术闪存(Flash Memory)作为非挥发性浮栅结构存储器的典型器件目前已广泛应用于U盘、MP3播放器及手机、数码照相机等移动电子设备,并有望在不久的将来替代PC中的硬盘实现大规模数据存储。然而目前广泛应用的多晶硅薄膜浮栅存储器结构在向45nm特征尺寸发展实现超大规模器件集成的同时,在存储时间和控制功耗等方面将面临严峻的挑战。如果用纳米微粒代替闪存的浮动栅,绝缘氧化物层中的薄点只影响一个相邻纳米微粒,并且对其...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。