技术编号：5878906
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体测量领域，特别涉及一种。 背景技术在半导体加工工艺过程中，经常需要测量形成的带线(lines)图案的宽度，以确定其是否符合工艺的要求，从而保证器件的性能。如对于MOS (金属-氧化物-半导体)晶体管的栅极、存储器中的字线、位线等，在形成相应的图案后，需要对其宽度进行测量。现有技术中通常使用扫描电子显微镜(SEM)或透射电子显微镜(TEM)对带线图案的宽度进行测量，其中透射电子显微镜的测量精度较高，但是在观测前需要进行复杂的样品制备过程，耗时...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。