技术编号:5935946
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体器件的测试方法,尤其是一种异质结双极晶体管性能测试方法。本发明还涉及一种异质结双极晶体管性能测试系统。背景技术目前没有能够直接或间接量化异质结双极晶体管(HBT) BE结附近陷阱中心(trap center)的方法;虽然可以对器件进行测试如加Mress后根据器件特性(I_V曲线)的偏移来判断该器件的稳定程度,但仍然不清楚ι-ν曲线的偏移是由何种因素引起,更不能对该现象进行量化。发明内容本发明所要解决的技术问题是提供了一种异质结双极晶体管...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。