专利名称：异质结双极晶体管性能测试方法及测试系统的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件的测试方法，尤其是一种异质结双极晶体管性能测试方法。本发明还涉及一种异质结双极晶体管性能测试系统。
背景技术：
目前没有能够直接或间接量化异质结双极晶体管(HBT) BE结附近陷阱中心(trap center)的方法；虽然可以对器件进行测试如加Mress后根据器件特性(I_V曲线)的偏移来判断该器件的稳定程度，但仍然不清楚ι-ν曲线的偏移是由何种因素引起，更不能对该现象进行量化。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供了一种异质结双极晶体管性能测试方法，以及实现这种异质结双极晶体管性能测试方法所采用的测试系统，能够量化异质结双极晶体管 BE结附近的陷阱中心；从而更准确客观的对器件性能进行评价，对器件特性分析及工艺改善起指导作用。为解决上述技术问题，本发明异质结双极晶体管性能测试方法的技术方案是，包括如下步骤
对异质结双极晶体管器件的BE结进行低频噪声功率谱测试，筛选出具有产生-复合噪声(Generation-Combination noise，即 G-R Noise)特征的频谱； 根据函数
权利要求
1. 一种异质结双极晶体管性能测试方法，其特征在于，包括如下步骤 对异质结双极晶体管器件的BE结进行低频噪声功率谱测试，筛选出具有产生-复合噪声特征的频谱； 根据函数
2.一种异质结双极晶体管性能测试方法，其特征在于，包括如下步骤对异质结双极晶体管器件的BE结进行低频噪声功率谱测试，筛选出具有产生-复合噪声特征的频谱； 根据函数
3.一种异质结双极晶体管性能测试方法，其特征在于，包括如下步骤对异质结双极晶体管器件的BE结进行低频噪声功率谱测试，筛选出具有产生-复合噪声特征的频谱；根据函数
4. 一种实现如权利要求广3中任意一项所述的异质结双极晶体管性能测试方法所使用的测试系统，其特征在于，包括IV曲线测试仪，用于测试IV曲线，加偏置条件；动态信号分析仪和低频噪声分析仪，用于生成产生-复合噪声特征频谱曲线； 与上述各部件连接的探针台以及与所述探针台连接着的待测的异质结双极晶体管。
全文摘要
本发明提出了一种异质结双极晶体管性能测试方法及测试系统，利用低频噪声测试方法，对其噪声功率谱中的产生-复合噪声特征进行分析，利用模型拟合的方法量化其BE结附近的陷阱中心；可对器件特性分析及工艺改善起指导作用。
文档编号G01R31/26GK102565651SQ20101060562
公开日2012年7月11日 申请日期2010年12月27日 优先权日2010年12月27日
发明者黄景丰 申请人:上海华虹Nec电子有限公司