技术编号:5942278
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于集成电路测试,具体涉及一种集成电路可靠性测试电路和方法,特别涉及集成电路中pMOSFETs在负偏压温度不稳定性(NBTI)应力下、nMOSFETs在正偏压温度不稳定性(PBTI)应力下、pMOSFETs和nMOSFETs分别在热载流子注入(HCI)应力下的退化测试。背景技术互补型金属氧化物半导体场效应晶体管记为CMOSFETs ;由pMOSFET和nMOSFET构成的反相器(Inverter)是CMOS集成电路的基本器件单元,pMOSFET和nM...
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