技术编号：5963952
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶体管关键参数测量的方法，尤其是涉及。背景技术随着集成电路的发展，器件的特征尺寸快速缩小，电路的性能得到了提高。但在工艺发展到纳米技术的同时也带来了一系列的挑战，特别是工艺波动性的问题。更小的特征尺寸意味着制造过程中对工艺波动有更小的裕量，导致工艺参数更大的不稳定，比如温度、掺杂浓度等的随机波动以及光刻、化学机械抛光(CMP)等引起的关键尺寸的波动，会导致阈值电压波动很大，漏电流急剧增加，不仅影响电路的良率，而且影响电路的性能和可靠性。对此，...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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