技术编号:6008421
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及气体生产,特别是涉及一种。背景技术在光伏器件的制造和半导体器件制造的过程中会用到多种反应气体,例如在利用化学气相沉积(CVD)工艺沉积薄膜时。在薄膜太阳能电池的制造过程中也会使用大量的硅烷(SiH4)气体和锗烷(GeH4)气体,利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺沉积各种非晶硅、微晶硅和纳米硅、非晶锗以及非晶硅锗薄膜。锗烷是有毒、易燃和无色的气体。在室温和大气压力下,具有特有的刺激性气味。 锗烷的热稳定性比硅烷差,大约^(TC就能检测到...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。