技术编号：6008640
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体元件的测试领域，尤其涉及一种电容DC模型中寄生电容的测量方法。背景技术形成于半导体基板上的集成电路包括多个有源和无源元件，例如电阻器、电感器、 电容器、晶体管、放大器等。上述元件是依照设计规格(design specification)而制造，其中设计规格定义上述元件所表现的电学特性(如电阻值、电感值、电容值、增益等)和结构特征。一般而言，希望能够确认每一个制造的元件是否符合其特定的设计规格，然而，在元件整合进集成电路后，个别的元件通常无法...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。