技术编号：6011509
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件的可靠性测试方法，特别涉及一种利用泄漏通路提供的栅泄漏电流(gate current through percolation paths)来测试半导体器件栅介质层中陷阱密度和陷阱位置的方法。背景技术半导体器件是制造电子产品的重要元件。半导体器件的更新换代推进了半导体技术的发展和半导体工业的进步，特别是对中央处理器CPU和存储器的性能提升。从上世纪末开始，芯片制造工艺发展十分迅速，先后从微米级别，一直发展到今天小于32nm的技术。在光刻技...
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