技术编号:6117496
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种,且特别涉及一种可测量短沟道(short channel )的金属氧化物半导体组件的本征电 容的方法。背景技术在诸如射频、模拟或数字混合电路里,金属氧化物半导体(Metal 0xi de Semiconductor, M0S )组件的电容冲莫型分析其准确与否对于电鴻4殳计者非 常重要。如一般的MOS场效应晶体管中,即可区分出重迭电容(overlap ca pacitances)、 结电容(junction capacitances)以及本征电...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。